半導体処理のための電子ビーム強化式分離型プラズマ源

摘要

【課題】プラズマ中のイオン濃度とラジカル濃度との個別制御性を向上する。【解決手段】半導体基板処理システム３００は、チャンバ３０１と、基板サポート３０３と、切り離されたプラズマ発生チャンバ３５５とを含む。また、プラズマ発生チャンバ３５５をチャンバ３０１に流体接続する複数の流体伝送経路３１６も含む。システムは、さらに、処理チャンバ内へ電子を入射させ、処理チャンバ内における電子エネルギ分布を制御し、ひいては処理チャンバ内におけるイオン対ラジカル密度比を制御するための、電子ビーム源３６３を含む。電子ビームが処理チャンバ内を通って基板サポート３０３の上方を横断するように伝送するように、電子ビーム源３６３が定められる。【選択図】図３Ａ