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Offenbart ist ein Verfahren zum dünnen Ausgestalten eines Wafers, der aus einem SiC-Substrat ausgebildet ist, das eine erste Oberfläche und eine zweite Oberfläche gegenüber der ersten Oberfläche aufweist. Das Verfahren zum dünnen Ausgestalten des Wafers beinhaltet einen Ausbildungsschritt für einen Trennungsstartpunkt zum Aufbringen des Laserstrahls an der zweiten Oberfläche während ein Fokuspunkt und das SiC-Substrat relativ bewegt werden, um dadurch eine modifizierte Schicht und Risse in dem SiC-Substrat in einer vorbestimmten Tiefe auszubilden, wodurch ein Trennungsstartpunkt ausgebildet wird, und einen Schritt zum dünnen Ausgestalten des Wafers durch Aufbringen einer äußeren Kraft auf den Wafer, wodurch der Wafer in einen ersten Wafer, der die erste Oberfläche des SiC-Substrats aufweist, und einen zweiten Wafer, der die zweiten Oberfläche des SiC-Substrats aufweist, an dem Trennungsstartpunkt getrennt wird. |
