发明名称 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
摘要 要約課題半導体装置の製造品質を向上させると共に、製造スループット向上させる。解決手段表面に酸素含有膜が形成されたハンダを表面に有する基板を、処理室内に設けられた基板支持部に載置させる工程と、処理室内に還元性ガスを供給し、処理室内の熱伝導率を第1の熱伝導率として酸素含有膜を除去する酸化層除去工程と、処理室内に熱伝導性ガスを供給して処理室内の熱伝導率を第2の熱伝導率としてハンダを溶融させるリフロー工程と、を有する。
申请公布号 JPWO2014115702(A1) 申请公布日期 2017.01.26
申请号 JP20140558567 申请日期 2014.01.21
申请人 株式会社日立国際電気 发明人 坪田 康寿
分类号 H01L21/60 主分类号 H01L21/60
代理机构 代理人
主权项
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