SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

摘要

본 발명에 따른 반도체 디바이스는, 제1 금속 구조, 상면 및 바닥면을 포함하는 제1 반도체칩; 제2 금속 구조를 포함하고, 상기 제1 반도체칩과 상기 바닥면에서 결합되는 제2 반도체칩; 상기 제1 금속 구조와 상기 제2 금속 구조를 접속하는 전도성 재료로서, 이 전도성 재료의 일부분이 상기 제1 반도체칩과 상기 제2 반도체칩의 내부에 있는 것인 전도성 재료; 및 상기 전도성 재료의 일부분을 둘러싸는 유전체층을 포함한다.