| 摘要 |
【課題】電力が供給されない状況でも記憶内容の保持が可能で、かつ、書き込み回数にも制限が無い、新たな構造の半導体装置を提供する。【解決手段】トランジスタのオフ電流を十分に小さくすることができる材料、ワイドギャップ半導体である酸化物半導体材料を用いて半導体装置を構成する。トランジスタのオフ電流を十分に小さくすることができる半導体材料を用いることで、長期間にわたって情報を保持することが可能である。又、書き込みワード線に電気的に接続する容量素子２５０またはノイズ除去回路を設けることで、駆動回路１９０，１９２等からメモリセル１７０に入力されうる制御信号とは異なる短パルスやノイズ等の信号を低減または除去することができる。【選択図】図２ |
