Halbleiterlaser und geätzte-Facetten integrierte Vorrichtungen, welche H-förmige Fenster haben

摘要

Eine kantenemittierende optische Halbleitervorrichtung (16), welche aufweist: ein Substrat (22); eine erste aktive Mehrfach-Quantentopf (MQW) Region (38), welche auf dem Substrat (22) ausgebildet ist; und einen ersten Rippenwellenleiter (24), welcher sich in einer longitudinalen Richtung (30) zwischen einer ersten geätzten Endfacette (26) des ersten Wellenleiters (24) und einer zweiten geätzten Endfacette (28) des ersten Wellenleiters (24) erstreckt, wobei der erste Rippenwellenleiter (24) in einer Oberfläche des Substrats (22) über der ersten aktiven MQW Region (38) ausgebildet ist, wobei die erste und die zweite geätzte Endfacette (26, 28) des ersten Wellenleiters (24) eine optische Beschichtung aufweisen; wobei die erste geätzte Endfacette (26) des ersten Wellenleiters (24) in einem ersten Fenster (27) angeordnet ist und die zweite geätzte Endfacette (28) des ersten Wellenleiters (24) in einem zweiten Fenster (42) angeordnet ist, wobei sich das erste und das zweite Fenster (27, 42) in einer Tiefendimension von dem ersten Rippenwellenleiter (24) zu dem Substrat (22) und durch die erste aktive MQW Region (38) erstreckt, wobei das erste Fenster (27) ein erstes Paar von Alkoven (37) aufweist, wobei sich die erste geätzte Endfacette (26) des ersten Wellenleiters (24) zwischen dem Paar von Alkoven (37) des ersten Fensters (27) erstreckt, wobei das zweite Fenster (42) ein erstes Paar von Alkoven (44) des zweiten Fensters (42) hat, wobei sich die zweite geätzte Endfacette (28) des ersten Wellenleiters (24) zwischen dem ersten Paar von Alkoven (44) des zweiten Fensters (42) erstreckt.