发明名称 誤り訂正装置、半導体記憶装置、および誤り訂正方法
摘要 【課題】簡易な構成で、かつ、訂正能力が高い誤り訂正装置を提供する。【解決手段】パリティビットを含むnビットの符号化データに対してc(c<n)個の誤り訂正を実行することが可能な誤り訂正装置であって、誤り訂正装置は、c個の誤りビットと、n−c個以下の消失ビットとを含み、消失ビットのデータを仮定した複数の仮定データを設定する仮定データ設定回路と、仮定データ設定回路で設定された複数の仮定データのそれぞれに対してシンドロームを算出し、算出結果およびパリティビットに基づいて復号する復号回路とを備える。【選択図】図5
申请公布号 JP2017022651(A) 申请公布日期 2017.01.26
申请号 JP20150140525 申请日期 2015.07.14
申请人 ルネサスエレクトロニクス株式会社 发明人 田邊 昭
分类号 H03M13/19;H03M13/15;H03M13/37 主分类号 H03M13/19
代理机构 代理人
主权项
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