| 摘要 |
【課題】チップ面積縮小とチップ厚薄型化に際して不揮発性メモリセルで生ずる虞のあるパンチスルーリークを抑制する。【解決手段】不揮発性メモリセルは容量電極ウェル（２０）と導電性の浮遊電極（ＣＰＬＧＴ）を容量電極とする容量素子（ＣＰＥ）、延在された前記浮遊電極とその下の書込み消去制御電極ウェル（２１）を電極とする書込み／消去素子（ＷＲＥ）、延在された前記浮遊電極をゲート電極としてスイッチ制御される読出し素子（ＲＤＥ）を有する。容量電極ウェル、書込み消去電極ウェル、及び読出し素子のウェル（２２）を分離する分離用ウェル(２３)を、中耐圧電界効果トランジスタのウェル（１７）及び高耐圧の電界効果トランジスタのウェルに対する給電用半導体領域（２７）と同じ半導体組成（ＨＮＬＤ）とし、容量電極ウェル及び書込み消去制御電極ウェルを低耐圧の電界効果トランジスタのウェル（１８）と同じ半導体組成（ＬＰＷ）とする。【選択図】図１ |
