| 摘要 |
【課題】半導体デバイスのメタル層側及び基板側の双方からマーキング位置を確認可能とするとともに、当該マーキング位置が正確な位置となっているか否かを容易に把握することができる検査装置及び検査方法を提供すること。【解決手段】検査装置１は、レーザ光源３１と、レーザ光をメタル層ＭＥ側から半導体デバイスＤに照射するレーザマーキング用光学系３２と、レーザ光源３１を制御することによって、レーザマーキングを制御する制御部２１ｂと、基板ＳｉＥ側において、半導体デバイスＤからの光を検出して光学反射像を出力する２次元カメラ１５と、半導体デバイスＤのパターン画像を生成する解析部２１ｃと、を備え、制御部２１ｂは、マーク像がパターン画像に現れるまでレーザマーキングが行われるように、レーザ光源３１を制御する。【選択図】図１ |
