发明名称 オーバーレイマーク、これを用いたオーバーレイの計測方法、および半導体デバイスの製造方法
摘要 【課題】半導体の製造工程でパターン層が正確に整列されているかを確認する、新しいオーバーレイマークを提供する。【解決手段】2つの連続するパターン層または1つのパターン層に別々に形成された2つのパターン間の相対的なズレを決定するオーバーレイマーク400であって、正方形の第1オーバーレイ構造410と、前記第1オーバーレイ構造の上下左右にそれぞれ配置される4つのオーバーレイパターン421〜424を備え、前記4つのオーバーレイパターンのそれぞれは、互いに並んだ複数のバー425a〜428dを備える第2オーバーレイ構造420とを含む。【選択図】図7
申请公布号 JP2017021317(A) 申请公布日期 2017.01.26
申请号 JP20150218547 申请日期 2015.11.06
申请人 オーロステクノロジー, インク. 发明人 チャン・ミョンシク;イ・ジュンウ;チャン・ヒョンジン;キム・セウン;イ・ギルス
分类号 G03F9/00;G03F7/20 主分类号 G03F9/00
代理机构 代理人
主权项
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