| 发明名称 |
共用拡散標準セルの構造 |
| 摘要 |
【課題】拡散領域の端部にあるデバイスの性能劣化を防止。【解決手段】半導体標準セル２００は、Ｎタイプの拡散領域とＰタイプの拡散領域２０２を含み、その両方がセルをわたっておよびセルの外側にも延在する。セルはまた、半導体デバイスを生成するために各拡散領域上方に導電ゲート２０６を含む。一対のダミーゲート２０８、２１８はまた、一対のダミーデバイスを生成するＮタイプの拡散領域とＰタイプの拡散領域上方にある。一対のダミーゲートはセルの反対側の端部に配置される。セルは、ダミーデバイスを無効にするための電源またはグラウンドにダミーデバイスを結合するように構成された第１の導電線２１４をさらに含む。【選択図】図２ |
| 申请公布号 |
JP2017022395(A) |
申请公布日期 |
2017.01.26 |
| 申请号 |
JP20160172671 |
申请日期 |
2016.09.05 |
| 申请人 |
クゥアルコム・インコーポレイテッドＱＵＡＬＣＯＭＭ ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ |
发明人 |
プラトゥシュ・カマル;イージン・タージオグル;フォウア・バング;プラヤグ・バーヌブハイ・パテル;ギリドハー・ナッラパティ;アニメシュ・ダッタ |
| 分类号 |
H01L21/82;H01L21/822;H01L21/8234;H01L21/8238;H01L27/04;H01L27/088;H01L27/092 |
主分类号 |
H01L21/82 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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