| 摘要 |
본 발명은 단층 그래핀(single layer graphene) 위에 산소 원자가 흡착되어 균일하게 분포된 것을 특징으로 하는 단층 그래핀 옥사이드와, 단층 그래핀을 제조하는 단계, 및 혼합가스 하에서 상기 단층 그래핀을 600~700℃의 열을 가하여 열 산화시키는 단계를 포함하는 단층 그래핀 옥사이드의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 단층 그래핀 옥사이드(SLGO)는 대부분 화학적으로 합성된 그래핀에 비해 훨씬 더 적은 결함 사이트를 가지는 SLG 표면에서 산소 원자가 상기 그래핀의 탄소원자와 결합하여 에폭시 그룹을 포함하고 있다. 또한, 상기 산소 원자는 단층 그래핀 표면에 균일하게 분포될 뿐만 아니라, 밀리미터 수준의 대면적으로 제조 가능한 효과를 가진다.또한, 본 발명에서는 단층 그래핀을 이용하여 열 산화법을 이용하여 온도, 압력, 혼합 가스 및 산화 시간의 조절을 통하여 균일한 산소 원자가 분포된 단층 그래핀 옥사이드의 제조가 가능하다. |
