一种冷等离子体处理的大豆育种方法

摘要

本发明涉及一种冷等离子体处理的大豆育种方法，包括步骤如下：对大豆种子进行冷等离子体处理，结合表观接触角观测，适时播种，选育具有目标性状的大豆新品种。所述冷等离子体处理的条件为：以氦气为工作介质，在真空封闭环境中，1～500W的处理功率下对大豆原材料进行15～20秒的非电离辐射处理；所述的表观接触角是指冷等离子体处理后大豆种子的气、液、固三相交界处的气‑液界面和固‑液界面之间的夹角，表观接触角度为43～96°。本发明对大豆种子进行冷等离子体处理，明显提高了大豆种子的发芽能力，改善了大豆的幼苗生长性状、生物性状、产量性状，填补了农业科学领域中非电离辐射技术在大豆育种上应用的空白。

主权项

一种冷等离子体处理的大豆育种方法，其特征是，包括步骤如下：对大豆种子进行冷等离子体处理，结合表观接触角观测，适时播种，选育具有目标性状的大豆新品种；所述的冷等离子体处理的条件为：以氦气为工作介质，在真空封闭环境中，160W 的处理功率下对大豆原材料进行18秒的非电离辐射处理；所述的表观接触角是指气、液、固三相交界处的气‑ 液界面和固‑ 液界面之间的夹角，表观接触角度为44±1.5°时播种；所述目标性状为：与未经任何处理的同一批相同品种的大豆种子相比，具有以下特征之一或两种以上：种子发芽能力提高；主根长增长；须根数增多；百苗鲜重、干重增加；粗蛋白质含量增加；粗脂肪含量增加；结荚数提高；单株粒数增加；产量增加；抗病性增强。