一种半导体器件的三维电极结构及其制备方法和应用

摘要

本发明公开了一种半导体器件的三维电极结构，包括单晶金刚石晶片材料，单晶金刚石晶片材料上设置有分别作为正极和负极的两个金属电极pad，各个金属电极pad均连接一个或多个等距间隔设置的叉指电极，各叉指电极上均连接有一个或多个相互平行、且设置在单晶金刚石晶片材料内的柱状金属电极。本发明还公开了一种半导体器件的三维电极结构的制备方法及其应用，结合平面电极结构和垂直电极结构的优点，在单晶金刚石晶片内引入体电极，实现紫外光或者粒子束激发的电子‑空穴对的高效快速收集，提高探测器的响应时间和灵敏度；同时可以避开单晶金刚石晶片表面的复杂性，增加了器件的稳定性；且提高了粒子探测器的抗辐照性能。

主权项

一种半导体器件的三维电极结构，其特征在于，包括单晶金刚石晶片材料，所述单晶金刚石晶片材料上设置有分别作为正极和负极的两个金属电极pad(1)，所述的各个金属电极pad(1)均连接一个或多个等距间隔设置的叉指电极(2)，所述各叉指电极(2)上均连接有一个或多个相互平行、且设置在所述单晶金刚石晶片材料内的柱状金属电极(3)。