发明名称 |
一种超宽带氮化镓器件小信号模型及其参数提取方法 |
摘要 |
本发明公开了一种超宽带氮化镓器件小信号模型及其参数提取方法,该小信号模型在栅、源、漏端分别采用三个互联电容和级联电感网络结构形式,包括18个寄生参数和10个本征参数;寄生参数包括外层寄生电容Cpgi1、Cpdi1、Cgdi1等,寄生电感Lgi1、Ldi1、Lsi1等,寄生电阻Rg、Rd、Rs;本征参数包括本征电容Cgd、Cgs、Cds,本征电阻Rgs、Rgd、Rds,本征电流源Ids=ViG<sub>m</sub>e<sup>‑jωta</sup>中的参量Gm及ta。该模型可以准确描述高频器件特性,从而使得模型具有更宽的应用频带,最高能够适用于W频段;该参数提取方法可以实现模型参数在0.2‑110GHz的频率范围内具有良好稳定性。 |
申请公布号 |
CN106354951A |
申请公布日期 |
2017.01.25 |
申请号 |
CN201610786722.3 |
申请日期 |
2016.08.31 |
申请人 |
徐跃杭;电子科技大学 |
发明人 |
徐跃杭;贾永昊;毛书漫;徐锐敏;延波 |
分类号 |
G06F17/50(2006.01)I |
主分类号 |
G06F17/50(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种超宽带氮化镓器件小信号模型,其特征在于,该小信号模型在栅、源、漏端分别采用三个互联电容和级联电感网络结构形式,包括18个寄生参数和10个本征参数;所述寄生参数包括第一至第九外层寄生电容Cpgi1、Cpdi1、Cgdi1、Cpgi2、Cpdi2、Cgdi2、Cpga、Cpda、Cgda,第一至第六寄生电感Lgi1、Ldi1、Lsi1、Lgi2、Ldi2、Lsi2,第一至第三寄生电阻Rg、Rd、Rs;所述本征参数包括第一至第三本征电容Cgd、Cgs、Cds,第一至第三本征电阻Rgs、Rgd、Rds,本征电流源Ids=ViG<sub>m</sub>e<sup>‑jωta</sup>中的参量G<sub>m</sub>及ta,其中Vi为Cgs两端的电压;第一外层寄生电容Cpgi1和第四外层寄生电容Cpgi2用于描述栅极金属与金属基板之间的寄生电容效应;第二外层寄生电容Cpdi1和第五外层寄生电容Cpdi2用于描述漏极金属与金属基板之间的寄生电容效应;第三外层寄生电容Cgdi1和第六外层寄生电容Cgdi2用于描述栅极金属与漏极金属之间的寄生电容效应;第七外层寄生电容Cpga用于描述栅极PAD与金属基板之间的寄生电容效应,第八外层寄生电容Cpda用于描述栅极PAD与金属基板之间的寄生电容效应,第九外层寄生电容Cgda用于描述栅极PAD与漏极金属PAD之间的寄生电容效应。 |
地址 |
610000 四川省成都市高新西区西源大道2006号电子科技大学电子工程学院 |