| 发明名称 | 低功率应用的IGBT功率器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种低功率应用的IGBT功率器件及其制造方法，所述方法包括：对硅衬底的正面进行半导体杂质注入或扩散操作；对进行半导体杂质注入或扩散操作后的正面进行腐蚀处理；对硅衬底的背面进行P型离子注入，形成P区域；对硅衬底的背面设置沟槽；对沟槽表面进行N型离子注入，形成N区域；对所述的P区域和N区域进行扩散操作；对硅衬底进行外层封装处理。本发明的优点是：在不影响器件本身耐压能力的情况下通过增加沟槽，P型离子注入以及只在沟槽表面进行的N型离子注入，能够分别提高低压IGBT的开启和关断时间，以达到极低的开启压降和快速的反向关断恢复时间的发明目的。 | ||
| 申请公布号 | CN103811336B | 申请公布日期 | 2017.01.25 |
| 申请号 | CN201410059061.5 | 申请日期 | 2014.02.21 |
| 申请人 | 成都方舟微电子有限公司 | 发明人 | 方伟;周仲建 |
| 分类号 | H01L21/331(2006.01)I;H01L29/739(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/331(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市浩天知识产权代理事务所(普通合伙) 11276 | 代理人 | 刘云贵 |
| 主权项 | 一种低功率应用的IGBT功率器件的制造方法，其特征在于，包括：对硅衬底的正面进行半导体杂质注入或扩散操作；对进行半导体杂质注入或扩散操作后的正面进行腐蚀处理；对硅衬底的背面进行P型离子注入，形成P区域；对硅衬底的背面设置沟槽；对沟槽表面进行N型离子注入，形成N区域；对所述的P区域和N区域进行扩散操作；所述N区域扩散形成的重掺杂N+区域只形成于所述沟槽表面附近；对硅衬底进行外层封装处理。 | ||
| 地址 | 610041 四川省成都市高新区紫荆东路9号 | ||