一种利用纳米压痕提高发光二极管光提取效率的方法

摘要

本发明提供一种利用纳米压痕提高发光二极管光提取效率的方法，该方法为：利用纳米级图形化蓝宝石衬底作为模板，通过对图形化蓝宝石衬底与发光二极管外延片施加载荷，从而在发光二极管外延片的磷化镓窗口层获得大面积周期性纳米压痕结构，因此提高发光二极管的光提取效率。本方法可以通过调节图形化蓝宝石衬底结构形状与周期以及载荷大小，有效的控制在发光二极管外延片窗口层形成的纳米压痕结构的大小，形状和周期。相比于现有的制备工艺具备操作简单，成本极低，可以快速、大面积的在发光二极管外延片表面获得较好的纳米压痕的优势。

主权项

一种利用纳米压痕提高发光二极管光提取效率的方法，其特征在于，该方法包括：利用纳米级图形化蓝宝石衬底作为模板，通过对纳米级图形化蓝宝石衬底与发光二极管外延片施加载荷，在所述载荷外力作用下，蓝宝石衬底上的纳米级图形化结构作为压头压入发光二极管外延片的磷化镓窗口层，并在所述发光二极管外延片的磷化镓窗口层获得周期性纳米级图形化压痕结构。