一种碳化硅外延生长的喷淋装置及碳化硅生长工艺方法

摘要

本发明涉及一种碳化硅外延生长的喷淋装置及碳化硅生长工艺方法，包括：喷头，以及位于喷头下方的衬底托，所述喷头和所述衬底托均采用石墨材料制成，所述喷头上方连通进气通道，所述喷头的至少部分在沿所述进气通道的进气方向上具有逐渐扩张的内径。所述方法包括以下步骤：通过所述进气通道向所述喷头通入按照预设速度喷流的气体；调整所述气体的流速直到所述气体在所述喷头内出现边界层分离效应。本发明设置的喇叭式结构，可以使得以一定流速流入喷头内的气体形成边界层分离效应，以此使进入喷头内的气体沿其内壁形成一股较为稳定的主要股流，这样在旋转的衬底托的配合下，衬底能够被均匀的喷射到气体，进而具有较好的晶体外延生长均匀性。

主权项

一种碳化硅外延生长的喷淋装置，包括：喷头，以及位于喷头下方的衬底托，所述喷头和所述衬底托均采用石墨材料制成，其特征在于，所述喷头上方连通进气通道，所述喷头的至少部分在沿所述进气通道的进气方向上具有逐渐扩张的内径。