发明名称 | 一种pH指示与自校准的梳状纳米传感器及其制备方法 | ||
摘要 | 本发明公开了一种pH指示与自校准的梳状纳米传感器及其制备方法,通过采用一系列的MEMS加工工艺,实现多传感器的集成,用于多参数的同时检测,提高传感器的应用范围。纳米传感器上集成的场效应光电传感器,用于pH的检测,为纳米传感器的重金属检测提供pH值的指示,保证纳米传感器在适当的pH范围内进行电化学分析,提高传感器的检测效率。此外,通过研究pH对重金属检测的影响,引入纳米传感器检测数据的自校准模型,有效提高传感器的准确度与抗干扰能力,有利于提高传感器的性能。该传感器可应用于环境监测、生物医学、化学等各项领域,实现重金属元素快速、高效地检测。 | ||
申请公布号 | CN104458848B | 申请公布日期 | 2017.01.25 |
申请号 | CN201410737575.1 | 申请日期 | 2014.12.05 |
申请人 | 浙江大学 | 发明人 | 王平;万浩;孙启永;李海波;孙斐;屠佳伟 |
分类号 | G01N27/27(2006.01)I | 主分类号 | G01N27/27(2006.01)I |
代理机构 | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人 | 邱启旺 |
主权项 | 一种pH指示与自校准的梳状纳米传感器,其特征在于,包括硅片基底(4),在硅片基底(4)的后端,设有一矩形的场效应光电传感器区域(2),在场效应光电传感器区域(2)对应的硅片基底(4)的背面开有一圆形槽,记为减薄区域(11);在场效应光电传感器区域(2)除减薄区域(11)外的硅片基底(4)的背面沉积铝层(12);在场效应光电传感器区域(2)对应的硅片基底(4)的上表面从下至上覆盖第三绝缘层(13)和敏感膜层(3);在硅片基底(4)的上表面除场效应光电传感器区域(2)外从下到上依次覆盖第一绝缘层(5)、电极层(6)和第二绝缘层(7);所述第二绝缘层(7)从下至上由二氧化硅层(14)和氮化硅层(15)组成;所述电极层(6)从下至上由粘附层(16)和工作电极层(17)组成;电极层(6)包括梳状电极阵列(9)和U形结构(10)两部分;所述U形结构(10)包围场效应光电传感器区域(2);在U形结构(10)的尾端,去除该区域上的第二绝缘层(7),设置焊点(8);通过U形结构(10)实现焊点(8)与梳状电极阵列(9)的连接。 | ||
地址 | 310058 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号 |