| 发明名称 | 具有Al‑Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>‑Ti/Ni/Ag结构的快恢复二极管 | ||
| 摘要 | 具有Al‑Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>‑Ti/Ni/Ag结构的快恢复二极管属于半导体技术领域，解决了Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>易断裂的问题。该二极管从下至上依次为：Si‑SiO<sub>2</sub>快恢复二极管、Al层、Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>和Ti/Ni/Ag金属层；采用蒸发或者溅射的方式在Si‑SiO2快恢复二极管的P型Si上制作Al层后，淀积Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>保护层，最后在Al层对应的Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>保护层开口溅射Ti/Ni/Ag金属层。本发明将Ti/Ni/Ag金属层置于钝化层Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>上，解决了由于Ag反光率高导致与Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>接触后容易产生Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>脱落和断裂的现象，从而实现批量生产。增加了Al在第一层，Al与P+、N+硅或多晶硅能形成低阻的欧姆接触，使得芯片的正向压降最小，而且与绝缘体SI<sub>3</sub>N<sub>4</sub>有良好的附着性，性能最优。 | ||
| 申请公布号 | CN106356402A | 申请公布日期 | 2017.01.25 |
| 申请号 | CN201610794935.0 | 申请日期 | 2016.08.31 |
| 申请人 | 吉林麦吉柯半导体有限公司 | 发明人 | 苏柳青;薛云峰;郝雪东;田振兴;王斌 |
| 分类号 | H01L29/43(2006.01)I;H01L29/45(2006.01)I;H01L29/861(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/43(2006.01)I |
| 代理机构 | 长春菁华专利商标代理事务所 22210 | 代理人 | 陶尊新 |
| 主权项 | 具有Al‑Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>‑Ti/Ni/Ag结构的快恢复二极管，其特征在于，该二极管从下至上依次为：Si‑SiO<sub>2</sub>快恢复二极管、Al层、Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>和Ti/Ni/Ag金属层；采用蒸发或者溅射的方式在Si‑SiO2快恢复二极管的P型Si上制作Al层后，淀积Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>保护层，最后在Al层对应的Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>保护层开口溅射Ti/Ni/Ag金属层。 | ||
| 地址 | 132013 吉林省吉林市深圳街99号 | ||