| 发明名称 | 多孔硅发光器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本公开提供多孔硅发光器件及其制造方法。发光器件(1)包括：半导体本体(2)，具有第一导电性类型，具有正侧面(2a)和背侧面(2b)；多孔硅区域(10)，其在半导体本体(2)中在正侧面(2a)处延伸；以及阴极区域(8)，与多孔硅区域(10)直接侧向接触。发光器件进一步包括电绝缘材料的势垒区域(12)，势垒区域(12)在阴极区域的底侧面处与阴极区域(8)直接接触地延伸，使得在使用中，电流排他地穿过阴极区域(8)的侧向部分在半导体本体中流动。 | ||
| 申请公布号 | CN106356434A | 申请公布日期 | 2017.01.25 |
| 申请号 | CN201610108591.3 | 申请日期 | 2016.02.26 |
| 申请人 | 意法半导体股份有限公司 | 发明人 | M·莫里利;F·F·R·托亚;G·巴里拉罗;M·萨姆比 |
| 分类号 | H01L33/14(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/14(2010.01)I |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人 | 王茂华 |
| 主权项 | 一种发光器件(1)，包括：‑半导体本体(2)，具有第一导电性类型，具有正侧面(2a)和背侧面(2b)；‑多孔硅区域(10)，在所述半导体本体(2)中在所述正侧面(2a)处延伸；以及‑阴极区域(8)，具有第二导电性类型，具有面对所述正侧面(2a)的顶侧面、与所述顶侧面相对的底侧面、以及在所述顶侧面和所述底侧面之间延伸的侧向部分，其中所述阴极区域(8)的所述侧向部分与所述多孔硅区域(10)直接电接触，其特征在于，进一步包括电绝缘材料的势垒区域(12)，所述势垒区域在所述底侧面处与所述阴极区域(8)直接接触地延伸，使得在使用中，电流排他地穿过所述阴极区域(8)的所述侧向部分在所述半导体本体中流动。 | ||
| 地址 | 意大利阿格拉布里安扎 | ||