发明名称 |
一种荧光纳米标尺部件及其制作方法 |
摘要 |
本发明涉及一种荧光纳米标尺部件及其制作方法。所述荧光纳米标尺部件包括透明基底、在所述透明基底上形成的非透明导电层以及在所述非透明导电层上形成的抗刻蚀掩膜层,所述非透明导电层和抗刻蚀掩膜层的对应位置上有一系列间隔设置的、具有预设纳米尺度的沟槽,所述沟槽完全贯穿所述非透明导电层和抗刻蚀掩膜层,所述沟槽用于填充荧光染料。将荧光染料填充入所述沟槽得到荧光纳米标尺可用于荧光显微镜和超高分辨率荧光显微镜系统分辨率的标定。 |
申请公布号 |
CN103954600B |
申请公布日期 |
2017.01.25 |
申请号 |
CN201410197201.5 |
申请日期 |
2014.05.12 |
申请人 |
国家纳米科学中心 |
发明人 |
汪先友;唐云青;戴陆如 |
分类号 |
G01N21/64(2006.01)I;G01Q40/02(2010.01)I |
主分类号 |
G01N21/64(2006.01)I |
代理机构 |
北京品源专利代理有限公司 11332 |
代理人 |
巩克栋;杨晞 |
主权项 |
一种荧光纳米标尺部件,包括透明基底、在所述透明基底上形成的非透明导电层以及在所述非透明导电层上形成的抗刻蚀掩膜层,所述非透明导电层和抗刻蚀掩膜层的对应位置上有一系列间隔设置的、具有预设纳米尺度的沟槽,所述沟槽完全贯穿所述非透明导电层和抗刻蚀掩膜层,所述沟槽用于填充荧光蛋白;所述荧光纳米标尺部件的制作方法,包括如下步骤:(1)在透明基底上通过磁控溅射或蒸镀的方式形成一层非透明导电层;(2)在所述非透明导电层上镀一层抗刻蚀掩膜层;(3)在所述抗刻蚀掩膜层上旋涂一层光刻胶;(4)通过电子束曝光,按预设的图样曝光并显影,去除曝光区的光刻胶;(5)通过等离子体刻蚀,刻蚀掉无光刻胶区域的抗刻蚀掩膜层;(6)通过等离子体刻蚀,刻蚀掉无抗刻蚀掩膜层区域的非透明导电层,形成一系列间隔设置的、具有预设纳米尺度并完全贯穿所述非透明导电层和抗刻蚀掩膜层的沟槽,得到所述荧光纳米标尺部件。 |
地址 |
100190 北京市海淀区中关村北一条11号 |