发明名称 一种四氧化三钴介孔纳米片的制备方法
摘要 本发明公开一种具有介孔结构的四氧化三钴纳米片的制备方法。在不添加任何表面活性剂和模板的条件下,首先通过简单温和的溶液法在低温下合成纳米片状结构的前驱体,然后经热分解得到介孔结构的四氧化三钴纳米片。通过该方法制得的Co<sub>3</sub>O<sub>4</sub>纳米片比表面积大,且具有良好的分散性。
申请公布号 CN104478006B 申请公布日期 2017.01.25
申请号 CN201410741019.1 申请日期 2015.01.06
申请人 南京工业大学 发明人 胡秀兰;黄惠洪
分类号 C01G51/04(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I 主分类号 C01G51/04(2006.01)I
代理机构 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 代理人 于永进
主权项 一种Co<sub>3</sub>O<sub>4</sub>介孔纳米片的制备方法,包括以下步骤:1)前驱体的制备配置硝酸钴和环六亚甲基四胺(C<sub>6</sub>H<sub>12</sub>N<sub>4</sub>)的混合溶液,混合溶液中Co<sup>2+</sup>的浓度为0.05‑0.2mol/L,硝酸钴与环六亚甲基四胺的摩尔比为0.2‑0.8:1,然后将溶液置于可密闭容器中,溶液占容器容积的70‑80%;将密闭后的容器放入烘箱中,在130‑150℃静置反应8‑12小时,反应结束后,经冷却、过滤、清洗、干燥得到紫红色的前驱体粉体;2)Co<sub>3</sub>O<sub>4</sub>介孔纳米片的制备将步骤1)制得的前驱体粉体在150‑600℃热处理0.5‑8小时,得到Co<sub>3</sub>O<sub>4</sub>介孔纳米片。
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