一种基于偶极子层浮栅结构的增强型AlGaN/GaN MISHEMT器件结构及其制作方法

摘要

本发明公开了一种基于偶极子层浮栅结构的增强型AlGaN/GaN MISHEMT器件结构及其制作方法，自下而上依次包括衬底，GaN缓冲层，AlN隔离层、GaN沟道层，AlGaN本征层和AlGaN掺杂层，所述AlGaN掺杂层上设有源电极、栅电极和漏电极，上述结构的顶层还间隔淀积有钝化层，所述栅电极与所述AlGaN掺杂层之间设有PTFE绝缘层。本发明采用PTFE和ITO所产生的偶极子层实现了对2DEG浓度的控制，成功的减少了所控制部分的2DEG的浓度；本发明没有采用将F负离子注入AlGaN掺杂层的方法，一方面避免了对材料的晶格损伤，另一方面也避免了F离子在高温时发生移动造成器件阈值电压发生漂移。

主权项

一种基于偶极子层浮栅结构的增强型AlGaN/GaN MISHEMT器件结构，其特征在于，自下而上依次包括衬底，GaN缓冲层，AlN隔离层、GaN沟道层，AlGaN本征层和AlGaN掺杂层，所述AlGaN掺杂层上设有源电极、ITO栅电极和漏电极，上述结构的顶层还间隔淀积有钝化层，所述ITO栅电极与所述AlGaN掺杂层之间设有PTFE绝缘层。