混合阳极电极结构的GaN基肖特基二极管

摘要

一种混合阳极电极结构的GaN基肖特基二极管，包括衬底、外延层、电极及钝化介质绝缘层，所述电极的阴极电极是在外延层表面的阴极区域沉积金属并退火而形成的欧姆接触，所述电极的第一阳极电极是在外延层表面的第一阳极区域沉积低功函数金属层而形成的第一个肖特基接触，所述电极的第二阳极电极是在外延层表面的第二阳极区域先沉积极薄介质层、再沉积高功函数金属层而形成的第二个肖特基接触，所述的两个肖特基接触共同形成混合阳极电极结构。本实用新型采用低功函数金属电极和高功函数金属‑极薄介质电极的混合结构，分别作为GaN基肖特基二极管的第一阳极和第二阳极，能够在有效地降低器件开启电压的基础上，进一步减小器件反向漏电流，改善器件表面电场分布，提高反向击穿电压，从而提高器件工作性能。

主权项

一种混合阳极电极结构的GaN基肖特基二极管，其特征在于：包括衬底（1）、外延层、电极及钝化介质绝缘层（8），其中所述外延层在外延方向上依次包括成核层（2）、应力及位错缓冲层（3）和电荷漂移层（4），所述成核层（2）连接在衬底（1）上，所述电极包括阴极电极（5）、第一阳极电极（6）和第二阳极电极（7），所述阴极电极（5）是在外延层表面的阴极区域沉积金属并退火而形成的欧姆接触，所述第一阳极电极（6）是在外延层表面的第一阳极区域沉积低功函数金属层而形成的由低功函数金属和半导体组成的第一个肖特基接触，所述第二阳极电极（7）是在外延层表面的第二阳极区域先沉积极薄介质层、再沉积高功函数金属层而形成的由高功函数金属、极薄介质和半导体组成的第二个肖特基接触，所述的两个肖特基接触共同形成混合阳极电极结构，且所述第二阳极区域比第一阳极区域在空间位置上更接近阴极区域，所述钝化介质绝缘层（8）覆盖在外延层的表面上且在电极对应的位置处开设有以便电极与外界电连接的窗口。