一种低损耗串联锂离子电池组电量均衡电路单元及其扩展电路

摘要

一种低损耗串联锂离子电池组电量均衡电路单元及其扩展电路，均衡电路单元包括双节电池单体DBs和均衡电路EC₀两个部分，双节电池单体DBs由两只电池单体B_H和B_L构成，令电池单体B_H的正极为端点1，电池单体B_L的负极为端点3，且电池单体B_H的负极与电池单体B_L的正极相连，连接处为端点2。均衡电路EC₀由两组半导体开关S_H和D_H、S_L和D_L、以及电感L₀组成，半导体开关S_H和S_L分别为带反并联二极管D_H和D_L的电力场效应晶体管MOSFET，半导体开关S_H和S_L的门极分别为端点a和b，S_L的漏极为端点e，S_H的源极为端点c，S_H的漏极与S_L的源极及电感L₀的一端相连，电感L₀的另一端为端点d；双节电池单体DBs的端点1~3分别连接均衡电路EC₀端点的c~e。本实用新型能够大大提升电池组稳定运行的安全性，也有利于降低投资成本。

主权项

一种低损耗串联锂离子电池组电量均衡电路单元，其特征在于：包括双节电池单体（DBs）和均衡电路（EC₀）两个部分，双节电池单体（DBs）由两只电池单体B_H和B_L构成，令电池单体B_H的正极为端点1， 电池单体B_L的负极为端点3，且电池单体B_H的负极与电池单体B_L的正极相连，连接处为端点2； 均衡电路（EC₀）由两组半导体开关S _H和D _H、S _L和D _L、以及电感L ₀组成，半导体开关S _H和S _L分别为带反并联二极管D _H和D _L的电力场效应晶体管MOSFET，半导体开关S _H和S _L的门极分别为端点a和b，S _L的漏极为端点e，S _H的源极为端点c，S _H的漏极与S _L的源极及电感L ₀的一端相连，电感L ₀的另一端为端点d；双节电池单体（DBs）的端点1、2、3分别对应连接均衡电路（EC₀）端点的c、d、e。