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실시예는 자외선 발광소자, 자외선 발광소자의 제조방법, 발광소자 패키지 및 조명장치에 관한 것이다. 실시 예에 따른 자외선 발광소자는 제1 도전형 반도체층과, 복수의 양자벽 및 복수의 양자우물을 포함하고, 제1 도전형 반도체층 상에 배치된 활성층, 및 활성층 상에 배치된 제2 도전형 반도체층을 포함하고, 복수의 양자우물 각각은 복수의 제1 및 제2 양자우물을 포함하고, 제2 양자우물은 InAlGaN층(0.01≤x2≤0.04, 0.03≤y≤0.085, 0≤x2+y≤1)을 포함할 수 있다. |
