| 发明名称 | 基于非晶态的SiO<sub>2</sub>的阴极材料及其制备方法和应用 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种基于非晶态的SiO<sub>2</sub>的阴极材料及其制备方法和应用，所述基于非晶态的SiO<sub>2</sub>的阴极材料SiO<sub>2</sub>与PVDF混合；SiO<sub>2</sub>纯度为分析纯，粒径为5‑10微米级；所述制备方法包括以下步骤：将称量好的粉末放进模具中，在10‑1000MPa下，制得直径为1‑1000mm，厚度为1‑1000mm的圆片；在500‑1500℃下烧结1‑100h，制备得到阴极材料。本发明利用非晶态的SiO<sub>2</sub>作为阴极材料的制备方法，利用非晶态材料各向同性，没有择优取向的特点，熔盐电解质没有择优渗透通道，使得各个方向的电解还原速度趋于一致，最后直接得到极细小的纳米级Si颗粒。 | ||
| 申请公布号 | CN106356521A | 申请公布日期 | 2017.01.25 |
| 申请号 | CN201610902796.9 | 申请日期 | 2016.10.17 |
| 申请人 | 宁夏大学 | 发明人 | 王海龙;何苗;李兴财 |
| 分类号 | H01M4/48(2010.01)I;H01M10/0525(2010.01)I;H01M10/058(2010.01)I | 主分类号 | H01M4/48(2010.01)I |
| 代理机构 | 北京方圆嘉禾知识产权代理有限公司 11385 | 代理人 | 董芙蓉 |
| 主权项 | 一种基于非晶态的SiO<sub>2</sub>的阴极材料，其特征在于，所述基于非晶态的SiO<sub>2</sub>的阴极材料SiO<sub>2</sub>与PVDF混合；SiO<sub>2</sub>纯度为分析纯，粒径为5‑10微米级；阴极材料SiO<sub>2</sub>与PVDF重量比例1～10000。 | ||
| 地址 | 750021 宁夏回族自治区银川市西夏区，贺兰山西路，489号 | ||