背面金属格栅的制作方法

摘要

本发明提供了一种背面金属格栅的制作方法，其包括以下步骤：提供一半导体衬底，所述半导体衬底背面依次形成有光电信号传输层、氮化钛保护层、硬掩膜层以及图形化的光阻层；以所述图形化的光阻层为掩膜，采用含氟气体对所述硬掩膜层和部分氮化钛保护层进行刻蚀；在刻蚀所述氮化钛保护层的腔体内进行去胶工艺；对所述半导体器件进行清洗；以所述硬掩膜层为掩膜，对所述氮化钛保护层和所述光电信号传输层进行刻蚀，形成背面金属格栅。本发明解决了采用传统的背面金属格栅的制作方法形成的金属格栅侧壁粗糙的问题。

主权项

一种背面金属格栅的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一半导体衬底，所述半导体衬底背面依次形成有光电信号传输层、氮化钛保护层、硬掩膜层以及图形化的光阻层；以所述图形化的光阻层为掩膜，采用含氟气体对所述硬掩膜层和部分氮化钛保护层进行刻蚀；在刻蚀所述氮化钛保护层的腔体内进行去胶工艺；对所述半导体器件进行清洗；以所述硬掩膜层为掩膜，对所述氮化钛保护层和所述光电信号传输层进行刻蚀，形成背面金属格栅。