| 发明名称 | 一种解决热焙片的扩散工艺 | ||
| 摘要 | 本发明属于太阳电池制造领域，内容为一种解决热焙片的扩散工艺，该工艺步骤为（1）硅片表面进行清洗，并进行织构化处理；（2）将待处理硅片放于扩散炉中，升温至850‑900℃，扩散炉内环境为氮气气氛，氮气流量为10‑25L/min；（3）待温度稳定后，对硅片进行退火处理；（4）降温至750‑800℃，扩散炉内环境为氮气气氛，氮气流量为10‑25L/min；（5）待温度稳定后，对硅片表面进行氧化预处理；（6）进行磷源的沉积；（7）关闭磷源，升高温度至800‑900℃，进行无源推进；（8）扩散结束，将石英舟退出。这样就可以解决热焙片效率低，不用重新熔融从而造成成本与产能的浪费。 | ||
| 申请公布号 | CN106356429A | 申请公布日期 | 2017.01.25 |
| 申请号 | CN201611003153.7 | 申请日期 | 2016.11.15 |
| 申请人 | 苏州润阳光伏科技有限公司 | 发明人 | 李海波;张尧;杨灼坚;陶龙忠 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I;H01L21/225(2006.01)I;H01L21/324(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 一种解决热焙片的扩散工艺，其特征在于包括以下步骤1）硅片表面进行清洗，并进行织构化处理；2）将待处理硅片放于扩散炉中，升温至850‑900℃ ，扩散炉内环境为氮气气氛，氮气流量为10‑25L/min；3）待温度稳定后，对硅片进行退火处理；4）降温至750‑800℃ ，扩散炉内环境为氮气气氛，氮气流量为10‑25L/min；5）待温度稳定后，对硅片表面进行氧化预处理；6）进行磷源的沉积；7）关闭磷源，升高温度至800‑900℃，进行无源推进；8）扩散结束，将石英舟退出。 | ||
| 地址 | 215300 江苏省苏州市前进东路科技广场8层 | ||