发明名称 基管内表面的活化方法以及光纤预制件和光纤及制造方法
摘要 本发明涉及基管内表面的活化方法以及光纤预制件和光纤及制造方法。通过利用含氟蚀刻气体的等离子体蚀刻来使制造光纤预制件所用的基管的内表面活化的方法,等离子体蚀刻包括:将气体的供给流供给至基管的空腔,供给流包括主气体流和含氟蚀刻气体流;利用电磁辐射将等离子体引入基管的至少一部分中以在基管的空腔中创建等离子体区域;使等离子体区域沿纵向在基管的位于基管的供给侧附近的换向点和位于排出侧附近的换向点之间的长度上来回移动,其中各次来回移动被称为行程,在等离子体区域存在于供给侧附近的换向点与位于供给侧附近的换向点和排出侧附近的换向点之间的预先确定的轴向位置之间时,提供含氟蚀刻气体流。
申请公布号 CN106348615A 申请公布日期 2017.01.25
申请号 CN201610552707.2 申请日期 2016.07.13
申请人 德拉克通信科技公司 发明人 I·米莉瑟维克;G·克拉比希斯;M·J·N·范·斯特劳伦;P·格哈特斯;J·A·哈特苏克
分类号 C03C15/02(2006.01)I;C03B37/018(2006.01)I 主分类号 C03C15/02(2006.01)I
代理机构 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人 刘新宇
主权项 一种用于通过利用含氟蚀刻气体的等离子体蚀刻来使制造光纤预制件所用的基管的内表面活化的方法,所述等离子体蚀刻包括以下步骤:将气体的供给流供给至基管的中央空腔,其中所述供给流包括主气体流和含氟蚀刻气体流;利用电磁辐射来将等离子体引入所述基管的至少一部分中,以在所述基管的中央空腔中创建等离子体区域;使所述等离子体区域沿纵向在所述基管的位于所述基管的供给侧附近的换向点和位于所述基管的排出侧附近的换向点之间的长度上来回移动,其中各次来回移动被称为行程,其中,在所述等离子体区域存在于所述供给侧附近的换向点和预先确定的轴向位置之间的情况下提供所述含氟蚀刻气体流,其中所述预先确定的轴向位置位于所述供给侧附近的换向点和所述排出侧附近的换向点之间。
地址 荷兰阿姆斯特丹