| 发明名称 | 多晶硅晶铸锭、多晶硅晶棒及多晶硅芯片 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种多晶硅晶铸锭、多晶硅晶棒及多晶硅芯片。多晶硅晶铸锭的实施例具有垂直方向，包含成核促进层，位于多晶硅晶铸锭的底部；以及多个硅晶粒，沿垂直方向成长，其中硅晶粒包含至少3种晶向，多晶硅晶铸锭在成核促进层上方的切片的晶粒面积变异系数是沿着垂直方向递增。 | ||
| 申请公布号 | CN106350868A | 申请公布日期 | 2017.01.25 |
| 申请号 | CN201610310977.2 | 申请日期 | 2016.05.11 |
| 申请人 | 中美硅晶制品股份有限公司 | 发明人 | 杨瑜民;杨承叡;周鸿昇;余文怀;许松林;徐文庆 |
| 分类号 | C30B29/06(2006.01)I;H01L31/0368(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人 | 马雯雯;臧建明 |
| 主权项 | 一种多晶硅晶铸锭，具有垂直方向，其特征在于，所述多晶硅晶铸锭包含：成核促进层，位于所述多晶硅晶铸锭的底部；以及多个硅晶粒，沿所述垂直方向成长，其中所述硅晶粒包含至少3种晶向；其中所述多晶硅晶铸锭在所述成核促进层上方的切片的晶粒面积变异系数是沿着所述垂直方向递增。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市科学工业园区工业东二路八号四楼 | ||