| 发明名称 | 包括钳位结构的半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明涉及包括钳位结构的半导体器件。在半导体器件的实施例中，半导体本体(101)包括钳位结构(102)，其包括在第一接触部(C11，C12)和第二接触部(C21，C22)之间背对背串联连接的pn结二极管(103)和肖特基结二极管(104)。pn结二极管(103)的击穿电压(V<sub>br</sub><sup>pn</sup>)大于100V并且肖特基结二极管(104)的击穿电压(V<sub>br</sub><sup>s</sup>)大于10V。 | ||
| 申请公布号 | CN106356369A | 申请公布日期 | 2017.01.25 |
| 申请号 | CN201610765091.7 | 申请日期 | 2016.07.15 |
| 申请人 | 英飞凌科技奥地利有限公司 | 发明人 | R·巴布尔斯克;T·巴斯勒;T·基默;H-J·舒尔策;S·福斯 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 申屠伟进;杜荔南 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：半导体本体(101)，包括钳位结构(102)，所述钳位结构(102)包括在第一接触部(C11，C12)和第二接触部(C21，C22)之间背对背串联连接的pn结二极管(103)和肖特基结二极管(104)，其中所述pn结二极管(103)的击穿电压(V<sub>br</sub><sup>pn</sup>)大于100V并且所述肖特基结二极管(104)的击穿电压(V<sub>br</sub><sup>s</sup>)大于10V。 | ||
| 地址 | 奥地利菲拉赫 | ||