发明名称 |
集成于芯片内的浪涌保护电路 |
摘要 |
本发明提供一种集成于芯片内的浪涌保护电路,其包括主泄放电路和快速检测电路,主泄放电路包括第一二极管、第二二极管、第二电阻和第一MOS管,第一二极管负极与电源端相连,其正极经第二电阻接地,第一二极管和第二电阻间的节点称为第一节点;第一MOS管的第一连接端与电源端相连,第二连接端接地,控制端与第一节点相连。快速检测电路包括电容、第一电阻、第三二极管和第二MOS管,电容连接于电源端和第三二极管负极之间,第三二极管正极接地,第三二极管和电容间的节点称为第二节点;第二MOS管的第一连接端与电源端相连,第二连接端与第一节点相连,控制端与第二节点相连。与现有技术相比,本发明集成于芯片内,且可对该芯片中的内部电路进行浪涌保护。 |
申请公布号 |
CN106356823A |
申请公布日期 |
2017.01.25 |
申请号 |
CN201610829413.X |
申请日期 |
2016.09.18 |
申请人 |
无锡力芯微电子股份有限公司 |
发明人 |
伍旻;吴相俊;汪芳;汪东 |
分类号 |
H02H9/02(2006.01)I;H02H9/04(2006.01)I |
主分类号 |
H02H9/02(2006.01)I |
代理机构 |
无锡互维知识产权代理有限公司 32236 |
代理人 |
庞聪雅 |
主权项 |
一种浪涌保护电路,其用于对内部电路进行浪涌保护,所述内部电路与电源端口和地之间,电源经所述电源端口对所述内部电路供电,其特征在于,所述浪涌保护电路包括主泄放电路和快速检测电路,所述主泄放电路用于泄放电源端口的浪涌能量,所述主泄放电路包括第一二极管、第二二极管、第二电阻和第一MOS管,其中,第一二极管的负极与电源端口相连,其正极经第二电阻接地,第一二极管的正极和第二电阻之间的连接节点称为第一节点;第一MOS管的第一连接端与电源端口相连,其第二连接端接地,其控制端与第一节点相连,所述快速检测电路用于检测电压端口的电压变化,所述快速检测电路包括电容、第一电阻、第三二极管和第二MOS管,其中,电容的一端与电源端口相连,其另一端与第三二极管的负极相连,第三二极管的正极与接地端相连,第三二极管的负极和电容之间的连接节点称为第二节点;第二MOS管的第一连接端与电源端口相连,其第二连接端与第一节点相连,其控制端与第二节点相连。 |
地址 |
214000 江苏省无锡市新区新辉环路8号 |