发明名称 |
一种基于有机聚合物极化效应的高压槽栅AlGaN/GaN HEMT器件结构及制作方法 |
摘要 |
本发明公开了一种基于有机聚合物极化效应的高压槽栅AlGaN/GaN HEMT器件结构及其制作方法,从下往上依次包括衬底、GaN缓冲层、AlN隔离层、GaN沟道层、AlGaN本征层和AlGaN掺杂层,所述AlGaN掺杂层上设有源极、钝化层1、有机绝缘层PTFE、钝化层2和漏极,所述有机绝缘层PTFE上设有ITO栅电极,所述源极与有机绝缘层PTFE、ITO栅电极之间设有钝化层1,漏极与有机绝缘层PTFE、ITO栅电极之间设有钝化层2。本发明采用PTFE和ITO栅电极所产生的偶极子层实现了对2DEG浓度的控制,成功的减少了栅区域2DEG的浓度,提高了器件的阈值电压。 |
申请公布号 |
CN104037222B |
申请公布日期 |
2017.01.25 |
申请号 |
CN201410312758.9 |
申请日期 |
2014.07.02 |
申请人 |
西安电子科技大学 |
发明人 |
冯倩;代波;董良;杜锴;郑雪峰;张春福;马晓华;郝跃 |
分类号 |
H01L29/778(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/778(2006.01)I |
代理机构 |
北京世誉鑫诚专利代理事务所(普通合伙) 11368 |
代理人 |
郭官厚 |
主权项 |
一种基于有机聚合物极化效应的高压槽栅AlGaN/GaN HEMT器件结构,其特征在于,从下往上依次包括衬底、GaN缓冲层、AlN隔离层、GaN沟道层、AlGaN本征层和AlGaN掺杂层,所述AlGaN掺杂层上设有源极、钝化层1、有机绝缘层PTFE、钝化层2和漏极,所述有机绝缘层PTFE上设有ITO栅电极,所述源极与有机绝缘层PTFE、ITO栅电极之间设有钝化层1,漏极与有机绝缘层PTFE、ITO栅电极之间设有钝化层2。 |
地址 |
710071 陕西省西安市太白南路2号 |