基于垂直导电方向的TiO₂‑NiO异质P‑N结所形成光控传输沟道的紫外探测器及其制备方法

摘要

一种基于垂直导电方向的TiO₂‑NiO异质P‑N结所形成光控传输沟道的紫外探测器及其制备方法，属于半导体紫外光电探测技术领域。从下至上依次由衬底、采用溶胶‑凝胶法在衬底上制备的纳米TiO₂薄膜、采用蒸镀法在纳米TiO₂薄膜上制备的一对Au引线点、采用蒸镀法及控制氧化法在纳米TiO₂薄膜表面和Au引线点上制备的Au/Ni叉指电极、采用蒸镀法及控制氧化法在TiO₂薄膜表面和Au/Ni叉指电极上制备的NiO薄膜构成，其中NiO薄膜的厚度为20～60nm。叉指电极间形成垂直于器件导电方向的TiO₂‑NiO异质P‑N结，在暗态下空间电荷区较宽，器件传输沟道较窄，有效限制暗电流；在紫外光照下，P‑N结内建电场减弱，空间电荷区变窄，光控传输沟道变宽，实现器件的高光电流。

主权项

一种基于垂直导电方向的TiO₂‑NiO异质P‑N结所形成光控传输沟道的紫外探测器，其特征在于：从下至上依次由衬底、采用溶胶‑凝胶法在衬底上制备的纳米TiO₂薄膜、采用蒸镀法在纳米TiO₂薄膜上制备的一对Au引线点、采用蒸镀法及控制氧化法在纳米TiO₂薄膜表面和Au引线点上制备的Au/Ni叉指电极、采用蒸镀法及控制氧化法在TiO₂薄膜表面和Au/Ni叉指电极上制备的NiO薄膜构成，其中NiO薄膜的厚度为20～60nm。