发明名称 一种PECVD沉积槽
摘要 本实用新型公开了一种PECVD沉积槽;其包括底板,底板的两侧均设置有侧板,侧板的上端向外延伸有上边沿,底板设置有若干个与氨气特气管路相连接的第一气孔,底板在第一气孔的两侧均设置有第一挡板,上边沿设置有若干个与硅烷特气管路相连接的第二气孔,上边沿在第二气孔的内侧设置有第二挡板;第一挡板和第二挡板的设置,使得氨气通过第一气孔后、硅烷通过第二气孔后气流直接往上运动,减少气体向四周扩散,避免了因沉积槽与特气管路之间沉积太多氮化硅而引起的堵塞,本实用新型的PECVD沉积槽不仅结构简单,而且延长了设备的更换周期,减少了维护时间。
申请公布号 CN205907356U 申请公布日期 2017.01.25
申请号 CN201620856182.7 申请日期 2016.08.09
申请人 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 发明人 张春华;陈佳男;衡阳;郑旭然;李栋;邢国强
分类号 C23C16/44(2006.01)I 主分类号 C23C16/44(2006.01)I
代理机构 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人 张海英;林波
主权项 一种PECVD沉积槽,包括底板(1),其特征在于,所述底板(1)的两侧均设置有侧板(2),所述侧板(2)的上端向外延伸有上边沿(3),所述底板(1)设置有若干个与氨气特气管路相连接的第一气孔(11),所述底板(1)在所述第一气孔(11)的两侧均设置有第一挡板(4),所述上边沿(3)设置有若干个与硅烷特气管路相连接的第二气孔(31),所述上边沿(3)在所述第二气孔(31)的内侧设置有第二挡板(5)。
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