一种制备铟钛氧透明半导体薄膜的低温溶液方法

摘要

本发明属于新材料及半导体领域，特别涉及一种制备铟钛氧透明半导体薄膜的低温溶液方法。包括如下步骤：称取可溶性的铟盐、钛盐，量取溶剂，配置浓度为0.01‑0.5摩尔/升的铟钛氧前驱体溶液，经过0.1‑3小时的磁力搅拌和超声分散形成澄清透明的铟钛氧前驱体溶液；制备铟钛氧薄膜：将铟钛氧前驱体溶液涂覆到清洗好的衬底上形成铟钛氧前驱体薄膜，进行50‑150 ℃的预热处理，然后经过一定功率、时间和温度的光波退火，根据铟钛氧薄膜的厚度要求可多次涂覆前驱体铟钛氧溶液并退火处理，即得到铟钛氧透明半导体薄膜。本发明所得铟钛氧薄膜在晶体管、存储器、太阳能电池等信息能源领域有重要应用前景。通过本发明的工艺可以避免通常的高温溶液工艺、工艺周期长或昂贵设备等，成本低，适合工业化大规模生产。

主权项

一种制备铟钛氧透明半导体薄膜的低温溶液方法，其特征在于包括如下步骤：(1) 制备铟钛氧前驱体溶液：称取可溶性的铟盐、钛盐，量取溶剂，配置浓度为0.01‑0.5摩尔/升的铟钛氧前驱体溶液，经过0.1‑3小时的磁力搅拌和超声分散形成澄清透明的铟钛氧前驱体溶液；(2) 制备铟钛氧薄膜：将铟钛氧前驱体溶液涂覆到清洗好的衬底上形成铟钛氧前驱体薄膜，进行50‑150 ℃的预热处理，然后经过一定功率、时间和温度的光波退火，根据铟钛氧薄膜的厚度要求可多次涂覆前驱体铟钛氧溶液并退火处理，即得到铟钛氧透明半导体薄膜；所述的光波的生成仪器为用作厨具的光波炉或具有卤素灯管的加热仪器。