一种功率半导体器件的场限环终端结构

摘要

本发明属于半导体功率器件制备技术领域，特别涉及一种功率半导体器件的场限环终端结构。该终端结构的终端区域具有两个或两个以上的深度不等的沟槽，所述沟槽紧密相连且沟槽内填充有相同的绝缘介质，所述沟槽中深度最小的沟槽的上侧面与有源区的主结相邻，沟槽底部进行掺杂形成终端区浮空场环。本发明将具有水平间距的浮空场环结构向器件内部折叠，可以充分利用体内漂移区厚度，从而缩小终端的横向面积，提高了终端的利用效率。

主权项

一种功率半导体器件的场限环终端结构，该半导体器件的场限环终端结构包括自下而上依次层叠设置的金属漏电极(1)、第一导电类型半导体重掺杂衬底(2)和第一导电类型半导体轻掺杂漂移区(3)；其特征在于，在该半导体器件终端区的第一导电类型半导体轻掺杂漂移区(3)中，具有多个沿第一导电类型半导体轻掺杂漂移区(3)上表面垂直向下延伸的沟槽，且相邻沟槽之间相互连接，所述沟槽的底部具有第二导电类型半导体掺杂的浮空场环(6)，所述沟槽中填充有绝缘介质。