金属栅极结构及其制备方法

摘要

本发明涉及金属栅极及其制备方法，包括：提供半导体衬底，部分所述半导体衬底表面上具有伪栅极，所述伪栅极包括依次位于所述半导体衬底的表面上的栅介质层、第一多晶硅层和非晶硅层；在所述伪栅极的周围形成侧墙；对所述非晶硅层进行热退火工艺处理，所述非晶硅层转变为第二多晶硅层，且所述第二多晶硅层的宽度大于所述第一多晶硅层的宽度；去除所述第一多晶硅层和所述第二多晶硅层，在所述侧墙之间形成上宽下窄的沟槽；在所述沟槽中填充金属层。本发明中，非晶硅层转化过程中，由于热膨胀使得第二多晶硅层的宽度大于第一多晶硅层的宽度，去除第一多晶硅层和第二多晶硅层后，形成上宽下窄的沟槽，沟槽中能够完全填充金属层，提高器件的性能。

主权项

一种金属栅极的制备方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，部分所述半导体衬底表面上具有伪栅极，所述伪栅极包括依次层叠于所述半导体衬底表面上的栅介质层、第一多晶硅层和非晶硅层；在所述伪栅极的周围形成侧墙；对所述非晶硅层进行热退火工艺处理，所述非晶硅层转变为第二多晶硅层，且所述第二多晶硅层的宽度大于所述第一多晶硅层的宽度；去除所述第一多晶硅层和所述第二多晶硅层，在所述侧墙之间形成上宽下窄的沟槽；在所述沟槽中填充金属层。