一种黑硅硅片表面纳米微结构的修正方法

摘要

本发明公开了一种黑硅硅片表面纳米微结构的修正方法，将清洗后的黑硅硅片扩散后，在扩散炉内，在干氧和大氮或者通入湿氧和大氮气氛中，于550℃～750℃退火氧化处理30～60min；然后清洗除去PSG，即完成黑硅硅片表面纳米微结构的修正。修正后的黑硅硅片表面尖锐的纳米微结构变得圆钝，表面反射率上升1%～5%，结深为0.3～0.6微米；具有低的表面复合速率、高的开路电压，由其制备的黑硅太阳电池的光电转换效率提升了0.2%以上。

主权项

一种黑硅硅片表面纳米微结构的修正方法，其特征在于，包括如下步骤：(1) 将黑硅硅片清洗干净；(2) 将清洗后的黑硅硅片放进通入携三氯氧磷的氮气的扩散炉内，于800℃～840℃下扩散60～90min，得到扩散后的黑硅硅片；(3) 在扩散炉内停止通入携三氯氧磷的氮气，同时通入干氧和大氮，或者通入湿氧和大氮；然后将扩散炉内的温度降至550℃～750℃，对上述扩散后的黑硅硅片进行退火氧化处理，处理时间为30～60min，自然降温后即得到氧化后的黑硅硅片；(4) 取出上述氧化后的黑硅硅片，清洗除去杂质玻璃，即完成黑硅硅片表面纳米微结构的修正。