| 发明名称 | 包括氧扩散阻挡的半导体器件及制造方法 | ||
| 摘要 | 本公开涉及包括氧扩散阻挡的半导体器件及制造方法。具体地，制造半导体我器件的方法的实施例包括：在直拉或磁性直拉硅衬底的第一表面上形成氧扩散阻挡。硅层形成在氧扩散阻挡上。在硅层中形成p掺杂和n掺杂半导体器件区域。该方法还包括形成第一和第二负载终端接触件。 | ||
| 申请公布号 | CN106356286A | 申请公布日期 | 2017.01.25 |
| 申请号 | CN201610561974.6 | 申请日期 | 2016.07.15 |
| 申请人 | 英飞凌科技股份有限公司 | 发明人 | H-J·舒尔策;J·鲍姆加特尔 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L29/739(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/861(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人 | 郑立柱;张昊 |
| 主权项 | 一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在直拉或磁性直拉硅衬底的第一表面上形成氧扩散阻挡；在所述氧扩散阻挡上形成硅层；在所述硅层中形成p掺杂半导体器件区域和n掺杂半导体器件区域；以及形成第一负载终端接触件和第二负载终端接触件。 | ||
| 地址 | 德国诺伊比贝尔格 | ||