| 发明名称 | 对封装芯片进行测试及失效分析的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种对封装芯片进行测试及失效分析的方法，对封装芯片靠近金球的一面进行第一次研磨，至暴露出所述金球，从而可以采用探测板通过金球对所述封装芯片进行探针测试；对封装芯片靠近硅衬底的一面进行第二次研磨，至暴露出所述硅衬底，从而可以采用红外定位的方法确定封装芯片的失效点，避免了现有技术中高温和化学腐蚀对封装芯片的影响或破坏，提高对封装芯片进行失效分析的准确性及效率。 | ||
| 申请公布号 | CN106356312A | 申请公布日期 | 2017.01.25 |
| 申请号 | CN201610817896.1 | 申请日期 | 2016.09.12 |
| 申请人 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 发明人 | 李品欢;仝金雨;李桂花;李辉;肖科 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/66(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种对封装芯片进行测试及失效分析的方法，其特征在于，包括：对所述封装芯片靠近金球的一面进行第一次研磨，至暴露出所述金球；对所述封装芯片靠近硅衬底的一面进行第二次研磨，至暴露出所述硅衬底；通过所述金球及硅衬底对所述封装芯片进行测试及失效分析。 | ||
| 地址 | 430205 湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号 | ||