| 发明名称 | 一种无损伤清洗硅片的方法 | ||
| 摘要 | 本申请公开了一种无损伤清洗硅片的方法，包括：制备带有添加剂的超临界二氧化碳；利用所述带有添加剂的超临界二氧化碳对硅片的表面进行吹洗，所述超临界二氧化碳使污染物脱离所述硅片的表面；将所述污染物从所述超临界二氧化碳中进行分离。本申请提供的上述无损伤清洗硅片的方法，能够降低清洗成本，避免环境污染，不会对硅片造成损伤。 | ||
| 申请公布号 | CN106345753A | 申请公布日期 | 2017.01.25 |
| 申请号 | CN201610809110.1 | 申请日期 | 2016.09.06 |
| 申请人 | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司 | 发明人 | 侯玥玥;金井升;蒋方丹;金浩 |
| 分类号 | B08B7/00(2006.01)I;C11D7/02(2006.01)I;C11D7/16(2006.01)I;C11D7/26(2006.01)I;C11D7/32(2006.01)I;C11D7/50(2006.01)I | 主分类号 | B08B7/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 罗满 |
| 主权项 | 一种无损伤清洗硅片的方法，其特征在于，包括：制备带有添加剂的超临界二氧化碳；利用所述带有添加剂的超临界二氧化碳对硅片的表面进行吹洗，所述超临界二氧化碳使污染物脱离所述硅片的表面；将所述污染物从所述超临界二氧化碳中进行分离。 | ||
| 地址 | 314416 浙江省嘉兴市海宁市袁花镇袁溪路58号 | ||