摘要 |
일 실시 예에 따르는 고강도 후판의 제조 방법에 있어서, 중량%로서, 탄소(C) 0.04 내지 0.09%, 실리콘(Si) 0.1 내지 0.3%, 망간(Mn) 1.0 내지 1.6%, 알루미늄(Al) 0 초과 0.05% 이하, 니켈(Ni) 0.1 내지 0.8%, 구리(Cu) 0.1 내지 0.3 이하, 니오븀(Nb) 0 초과 내지 0.05%, 티타늄(Ti) 0 초과 0.05% 이하, 크롬(Cr) 0.01 내지 0.05%, 및 나머지 철(Fe)과 기타 불가피한 불순물로 이루어지되, 아래 식으로 표현되는 탄소당량(Ceq)이 0.41% 이하인 슬라브 판재를 1030 내지 1200 ℃의 온도로 재가열한다. 상기 재가열된 판재를 오스테나이트 재결정 정지온도 이상의 온도에서 1차 압연한다. 상기 1차 압연된 판재를 상기 오스테나이트 재결정 정지 온도 이하의 온도에서 2차 압연한다. 상기 2차 압연된 판재를 가속 냉각한다. Ceq = [C] + [Mn]/6 + ([Ni]+[Cu])/15 + ([Cr]+[Mo]+[V])/5 (여기서 [X]의 표기는 X 구성성분의 판재내 중량%를 의미함) |