| 摘要 |
고전압 반도체 소자와 이를 제조하는 방법이 개시된다. 상기 고전압 반도체 소자는, 기판 상에 형성된 게이트 구조물과, 상기 게이트 구조물의 일측에 인접하는 상기 기판의 표면 부위에 형성된 소스 영역과, 상기 게이트 구조물의 타측에 인접하는 상기 기판의 표면 부위에 형성된 드리프트 영역과, 상기 게이트 구조물로부터 이격되도록 상기 드리프트 영역의 표면 부위에 형성된 드레인 영역과, 상기 드리프트 영역 상에 형성되며 상기 게이트 구조물과 상기 드레인 영역 사이에서 수직 전계를 형성하기 위한 전극 구조물을 포함할 수 있다. |
