发明名称 VOLTAGE LEVEL SHIFTER EMBEDDED NON-VOLATILE MEMORY AND SYSTEM USING THE SAME
摘要 전압 레벨 쉬프터는 제 1 입력부, 제 2 입력부, 제 1 미러부, 제 2 미러부 및 클램핑부를 포함할 수 있다. 상기 제 1 및 제 2 입력부는 각각 제 1 및 제 2 입력 신호를 수신하여 정 출력 노드와 부 출력 노드의 전류 경로를 형성할 수 있다. 상기 제 1 및 제 2 미러부는 상기 정 출력 노드와 부 출력 노드로 제 1 전압을 제공할 수 있다. 상기 클램핑부는 제 2 전압을 수신하여 상기 정 출력 노드 및 상기 부 출력 노드와 상기 제 1 및 제 2 미러부를 각각 연결시킬 수 있다.
申请公布号 KR20170008365(A) 申请公布日期 2017.01.24
申请号 KR20150099305 申请日期 2015.07.13
申请人 에스케이하이닉스 주식회사 发明人 김정훈;김도희
分类号 G11C16/30;G11C5/14;G11C7/10;G11C16/06;G11C16/12;G11C16/26 主分类号 G11C16/30
代理机构 代理人
主权项
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