发明名称 REFLECTIVE-LAYER-EQUIPPED SUBSTRATE FOR EUV LITHOGRAPHY REFLECTIVE MASK BLANK FOR EUV LITHOGRAPHY REFLECTIVE MASK FOR EUV LITHOGRAPHY AND PROCESS FOR PRODUCING REFLECTIVE-LAYER-EQUIPPED SUBSTRATE
摘要 Ru 보호층으로부터의 산화에 의한 반사율의 저하가 억제된 EUV 마스크 블랭크, 및 그 EUV 마스크 블랭크의 제조에 사용되는 반사층이 형성된 기판, 그리고 그 반사층이 형성된 기판의 제조 방법의 제공. 기판 상에, EUV 광을 반사하는 반사층과, 그 반사층을 보호하는 보호층이 이 순서로 형성된 EUV 리소그래피용 반사층이 형성된 기판으로서, 상기 반사층이, Mo/Si 다층 반사막이고, 상기 보호층이, Ru 층, 또는 Ru 화합물층이고, 상기 반사층과 상기 보호층 사이에, 질소를 0.5 ∼ 25 at% 함유하고, Si 를 75 ∼ 99.5 at% 함유하는 중간층이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 EUV 리소그래피용 반사층이 형성된 기판.
申请公布号 KR101699574(B1) 申请公布日期 2017.01.24
申请号 KR20127012513 申请日期 2010.12.09
申请人 아사히 가라스 가부시키가이샤 发明人 미카미 마사키;고마키네 미츠히코;이쿠타 요시아키
分类号 H01L21/027;G02B1/11;G02B5/22;G03F1/24 主分类号 H01L21/027
代理机构 代理人
主权项
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