发明名称 Board for RF Semiconductor and Manufacturing Method of the Board for RF Semiconductor RF Semiconductor thereof
摘要 본 발명은 고주파 반도체용 기판 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 금속이 코팅된 다이아몬드 분말과, 구리 분말을 혼합한 분말 혼합체를 기판 성형체로 성형한 후 소결되어 고주파 반도체에서 리드 프레임과 기판 사이를 절연하는 세라믹 재질의 절연체와 열팽창계수가 유사하여 고주파 반도체의 작동 시 발생하는 열충격에 의한 상기 기판과 상기 절연체의 접합부분에서의 균열을 방지하고, 상기 고주파 반도체의 내구성 및 작동 신뢰성을 향상시킬 뿐 아니라 열전도도가 우수하여 고주파 반도체의 작동 시 방열효과가 향상됨으로써 고주파 반도체의 내구성 및 작동 신뢰성을 더 향상시킨다.
申请公布号 KR20170008695(A) 申请公布日期 2017.01.24
申请号 KR20160088860 申请日期 2016.07.13
申请人 주식회사 아모센스 发明人 이지형
分类号 H01L23/373;H01L23/14;H01L23/66 主分类号 H01L23/373
代理机构 代理人
主权项
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