| 摘要 |
귀금속 칩-전극 모재 계면에 있어서의 산화 스케일의 진전을 억제한다. 용융부 (26) 는, 귀금속 칩 (27) 의 측면 전체 둘레에 용융 처짐 (28) 을 구비한다. 중심축을 포함하는 전극 단면에 있어서, 귀금속 칩 (27) 의 단면에 상당하는 선분 (S) 의 길이 D, 중심축으로부터 「9D/20」이간된 가상 직선을 L1, L2, 가상 직선 (L1, L2) 과 귀금속 칩-용융부 계면과의 교점을 P1, P2, 교점 (P1, P2) 을 연결한 가상 직선을 L3, 선분 (S) 의 양 단점 중, 가상 직선 (L1) 과 같은 측을 단점 P3, 가상 직선 (L2) 과 같은 측을 단점 P4, 단점 (P3, P4) 을 통과하고 중심축에 평행한 직선을 가상 직선 L4, L5, 용융 처짐 (28) 의 단점 중, 가상 직선 (L4) 상의 단점을 P5, 가상 직선 (L5) 상의 단점을 P6, 가상 직선 (L4, L5) 과 가상 직선 (L3) 의 교점을 P7, P8 로 하면, 교점 (P7) 과 단점 (P5) 의 거리 X1, 교점 (P8) 과 단점 (P6) 의 거리 X2 는 0.092 ㎜ 이상이다. |
